JSMSEMI(杰盛微)China
UT4446G-S08-R
Transistors - FETs, MOSFETs - Single电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计，具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current20 A
On-resistance6.5 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,15A |
| 数量 | 1个N沟道 |
Documents
DatasheetDatasheet · 2.0 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.6 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.6 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 622.4 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 413.5 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 371.1 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 225.2 KB · 2026-09-21
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