VBsemi(微碧半导体)China
UT4957G-S08-R-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款双P型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于各种电源和功率控制应用，包括但不限于开关电源、电池管理、电机驱动和汽车电子系统等领域的模块设计。SOP8；2个P—Channel沟道,-30V；-8A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelP-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current9.5 A
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A |
| Other | |
| 数量 | 2个P沟道 |