VBsemi(微碧半导体)China
UT8205AG-AG6-R-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款是双N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要高效功率管理和电路控制的领域，尤其适用于要求小尺寸和高性能的模块。SOT23-6；2个N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~1.5V；
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage20 V
Continuous drain current6 A
Gate threshold voltage1.5 VMax
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 6A |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| Other | |
| 数量 | 2个N沟道 |