VBsemi(微碧半导体)China
UTD408L-TN3-R-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current70 A
On-resistance9 mΩMax · 4.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 70A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |