VBsemi(微碧半导体)China
台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺，适用于广泛的领域和模块。SOP8；P—Channel沟道,-100V；-2.5A；RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelP-channel
Drain-source voltage100 V
Continuous drain current2.5 A
On-resistance160 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V,2A |
| 数量 | 1个P沟道 |