VBsemi(微碧半导体)China
TO220F;N—Channel沟道,40V;200A;RDS(ON)=1.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;是一款采用Trench技术高性能单N沟道MOSFET,适用于高效电源开关、工业自动化等领域和模块。
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TO220F;N—Channel沟道,40V;200A;RDS(ON)=1.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;是一款采用Trench技术高性能单N沟道MOSFET,适用于高效电源开关、工业自动化等领域和模块。
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