Results forBAT760

电压:20V 电流:1A

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为20V，正向压降（VF）低至0.45V，在20V反向电压下漏电流（IR）不超过1000μA。器件具备高达25A的正向浪涌电流（IFSM）承受能力，适用于低压整流、电源转换、电池充放电管理及高频开关电路等应用，其低导通压降有助于提升系统效率并减少热损耗。

BAT760

DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323

DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323

DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323

DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323

DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323

DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达20V。其正向压降（VF）典型值为0.45V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为1000μA。器件可承受高达25A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压高频电路等场景。

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式结构，具有1A的额定正向电流（IF）和20V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.45V，有助于在导通状态下维持较低功耗；反向漏电流（IR）为1000μA。器件可承受峰值达25A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低压电源整流、高频开关电路、信号钳位及电池供电设备中的反向保护等应用场合。