Results forDMC3025LSD

30V Complementary Enhancement Mode MOSFET

MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO

MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型沟道功率MOSFET，采用Trench工艺。具有双极性设计，能够同时控制正负极电流，适用于各种功率控制和开关应用。SOP8；N+P—Channel沟道,±30V；8/-8A；RDS(ON)=18/40mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±2V；

特性：N沟道:VDS = 30V,ID = 8.0A。 RDS(ON) = 17mΩ(VGS = 10V时)。 RDS(ON) = 24mΩ(VGS = 4.5V时)。P沟道:VDS = -30V,ID = -6A。 RDS(ON) = 40mΩ(VGS = -10V时)。 RDS(ON) = 60mΩ(VGS = -4.5V时)。应用：PWM应用。DC电机

MOSFETN/P-CH30VSO-8

MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO

本款N+P沟道组合场效应管（MOSFET）采用双沟道设计，集成N沟道与P沟道器件于单一封装内。单管漏极电流ID可达6A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至16mΩ，具备优良的导通特性和开关响应能力。适用于同步整流、双向负载控制、电源管理及直流变换器等应用场合，可有效提升系统效率并减少外围元件数量。该器件满足多种便携式电子设备及高效能电源系统对小型化与低损耗的要求。

本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET），具备6A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中功率电源管理与开关电路。导通电阻（RDON）低至16mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。器件采用整合N沟道与P沟道的封装形式，便于构建对称或互补结构，适合应用于便携设备、适配器、电池管理系统及小型电源转换装置中的高频开关场景。整体设计兼顾性能与空间利用率，支持多样化电路集成需求。