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FDN5618P

MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3

MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3

FET -60V 1.7 MOHM SSOT3

P沟道，-60V，-2.0A，170mΩ@-4.5V,-1.5A，-1.7V@-250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

FDN5618P 是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，适用于空间有限的设计项目。该器件提供高达60V的漏源电压(VDSS)，能够支持1.6A的连续漏极电流(ID)，并且具备140mΩ的导通电阻(RD(on))，在低电压应用中展现卓越性能。广泛应用于电源开关、负载切换、逻辑电平转换等功能模块，是您构建高效、可靠电路的理想选择。

P沟道；电压：-60V；电流：-5.2A；导通电阻：50(mΩ)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电路保护、低功耗应用、传感器接口和医疗电子等领域。SOT23；P—Channel沟道,-60V；-5.2A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

P MOS-60V-3A 内阻：130mΩ