Results forIRLML2803

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23

IRLML2803GPBF is a N-channel power MOSFETs with VDS max: 30 V, RDS (on) max: 250 mOhm, Package: SOT-23, Technology: IR MOSFET™, ID max: 1.2 A

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3

适用于电池管理，高速开关，低功率 DC-DC 转换。

IRLML2803PbF MOS管是一款高性能N沟道器件，采用小型化SOT-23封装，适合空间有限的设计需求。该器件具有30V的最高耐压值(VDSS)，能够提供稳定的4A漏极电流(ID)，并在导通状态下展现低至29mΩ的导通电阻(RD(on))。这款MOS管凭借其出色的开关性能与低功耗特性，广泛适用于电源管理、负载开关及各类电子设备的控制电路中，助力系统效能优化与节能升级。

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

应用于便携式设备负载开关、DC/DC转换器。