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MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC

台积电流片，长电科技封装；是一款双路N+N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于中功率功率控制和开关应用，中功率电子设备的功率开关和控制模块。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；6.8A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

STS2DNF30L 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为现代电子设备提供高效的功率控制解决方案。主要特性包括最大工作电压VDSS高达30V，具备6A的连续漏极电流能力，确保强大电流处理性能；其25mΩ的低导通电阻RD(on)设计，有效降低功耗，提升整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您追求高集成度与节能效果的理想MOS管选择。