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- UT2301G-AE3-R
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
P沟道,20V,2.8A
- UT2301G-AE3-R-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
台积电流片,长电科技封装;是一款单P型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23;P—Channel沟道,-20V;-4A;RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V;Vth=-0.5~-1.5V;
- UT2301G-AE3-R-JSM
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
为高效电源开关、电池保护和负载管理应用设计,具备低导通电阻及卓越的开关性能,是各类中低压电路的理想选择,有效提升系统能效并确保稳定运行。
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