1N1612

在产单二极管

DIODE GEN PURP 50V 16A DO4

反向耐压50 V
平均整流电流16 A
正向压降1.3 V
类型标准

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技术参数

反向耐压50 V
平均整流电流16 A
正向压降1.3 V最大 · 30 A
类型标准Standard Recovery >500ns,> 200mA (Io)
电源
Current - Average Rectified (Io)16A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 50 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 30 A
环境与封装
Mounting TypeStud Mount
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 200°C
PackageBox
Package / CaseDO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device PackageDO-4
其他
Capacitance @ Vr, F-
MfrSolid State Inc.
Product StatusActive
Series-
SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
TechnologyStandard

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