Поиск аналогов электронных компонентов
1N645

1N645

ПроизводитсяSingle Diodes

DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Обратное напряжение225 V
Средний выпрямленный ток400 mA
Прямое падение напряжения1 VМакс. · 400 mA
ТипStandardStandard Recovery >500ns,> 200mA (Io)
Питание
Current - Average Rectified (Io)400mA
Current - Reverse Leakage @ Vr200 nA @ 225 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)225 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 400 mA
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C
PackageBag
Package / CaseDO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device PackageDO-35
Другое
Capacitance @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
MfrNTE Electronics, Inc
Product StatusActive
Series-
SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
TechnologyStandard

Изображения

Документы