2DB1132R-13

2DB1132R-13

在产单个双极晶体管SOT-89-3

TRANS PNP 32V 1A SOT89-3

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类型PNP
集射极耐压32 V
集电极电流1 A
放大倍数 hFE180

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技术参数

类型PNP
集射极耐压32 V
集电极电流1 A最大
放大倍数 hFE180100mA
功率1 W最大
电源
Current - Collector Cutoff (Max)500nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)1 A
Power - Max1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)32 V
交流 / 直流特性
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition190MHz
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-243AA
Supplier Device PackageSOT-89-3
其他
Base Product Number2DB1132
MfrDiodes Incorporated
Product StatusActive
Series-
Transistor TypePNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA

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技术资料

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