2N5608

在产单个双极晶体管TO-66

POWER BJT

查看国产替代问 AI FAE
类型PNP
集射极耐压80 V
集电极电流5 A
功率25 W

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

类型PNP
集射极耐压80 V
集电极电流5 A最大
功率25 W最大
电源
Current - Collector Cutoff (Max)-
Current - Collector (Ic) (Max)5 A
Power - Max25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)80 V
交流 / 直流特性
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Frequency - Transition-
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-65°C ~ 200°C (TJ)
PackageBulk
Package / CaseTO-213AA, TO-66-2
Supplier Device PackageTO-66 (TO-213AA)
其他
MfrMicrochip Technology
Product StatusActive
Series-
Transistor TypePNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 500µA, 2.5mA

技术资料

该型号暂未收录资料。