2N65L
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2N65L

在产单 FET,MOSFETTO-252

TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET

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沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流2 A
导通电阻5.5 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流2 A
导通电阻5.5 Ω最大 · 1A
阈值电压4 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)-
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageTO-252 (DPAK)
其他
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds311 pF @ 25 V
MfrUMW
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5Ohm @ 1A, 10V
SeriesUMW
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

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技术资料

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