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2SC3956E

在产单个双极晶体管TO-126ML

NPN SILICON TRANSISTOR

类型NPN
集射极耐压200 V
集电极电流200 mA
放大倍数 hFE100

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技术参数

类型NPN
集射极耐压200 V
集电极电流200 mA最大
放大倍数 hFE10010mA
功率1.3 W最大
电源
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)200 mA
Power - Max1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)200 V
交流 / 直流特性
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition300MHz
环境与封装
Grade-
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature150°C (TJ)
PackageBulk
Package / CaseTO-225AA, TO-126-3
Qualification-
Supplier Device PackageTO-126ML
其他
Mfronsemi
Product StatusActive
Series-
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1V @ 3mA, 30mA

技术资料