TRANS NPN 600V 1A MSTM
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер600 V
Ток коллектора1 AМакс.
Коэффициент усиления hFE100100mA
Мощность1 WМакс.
| Питание | |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Power - Max | 1 W |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 5V |
| Frequency - Transition | - |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | SC-71 |
| Supplier Device Package | MSTM |
| Другое | |
| Base Product Number | 2SC6010 |
| Mfr | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Product Status | Obsolete |
| Series | - |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 75mA, 600mA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.