MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток1 kV
Постоянный ток стока2 A
Сопротивление в открытом состоянии9 ΩМакс. · 1A
Пороговое напряжение4.5 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | TO-252 (DPAK) |
| Другое | |
| Base Product Number | AOD2 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 580 pF @ 25 V |
| Mfr | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Product Status | Not For New Designs |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9Ohm @ 1A, 10V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Изображения
Документы
DatasheetDatasheet · 543.0 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 352.3 KB · 2026-09-21Package DrawingPackage Drawing · 417.4 KB · 2026-09-22Package DrawingPackage Drawing · 277.4 KB · 2026-09-22Quality & ReliabilityQuality & Reliability · 122.3 KB · 2026-09-22Package DrawingPackage Drawing · 92.6 KB · 2026-09-22OtherOther · 185.6 KB · 2026-09-21
Центр документации