AON6484

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETs8-DFN

MOSFET N-CH 100V 3.3A/12A 8DFN

Все аналоги

Тип каналаN-channel

Напряжение сток-исток100 V

Постоянный ток стока3.3 ~ 12 A

Сопротивление в открытом состоянии79 mΩМакс. · 7.5A

Пороговое напряжение2.7 VМакс. · 250μA

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.3A (Ta), 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)	2W (Ta), 25W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)
Package / Case	8-PowerSMD, Flat Leads
Supplier Device Package	8-DFN (5x6)
Другое
Base Product Number	AON648
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	942 pF @ 50 V
Mfr	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	79mOhm @ 7.5A, 10V
Series	-
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.7V @ 250µA