MOSFET N-CH 600V 4A TO251-3
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток600 V
Постоянный ток стока4 A
Сопротивление в открытом состоянии900 mΩМакс. · 2A
Пороговое напряжение4.1 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 56.8W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Supplier Device Package | TO-251-3 |
| Другое | |
| Base Product Number | AOU4 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 263 pF @ 100 V |
| Mfr | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2A, 10V |
| Series | aMOS™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
Документы
DatasheetDatasheet · 451.7 KB · 2026-09-21Package DrawingPackage Drawing · 488.1 KB · 2026-09-22Package DrawingPackage Drawing · 262.8 KB · 2026-09-22Quality & ReliabilityQuality & Reliability · 123.3 KB · 2026-09-22Package DrawingPackage Drawing · 106.5 KB · 2026-09-22OtherOther · 185.6 KB · 2026-09-21
Центр документации