Поиск аналогов электронных компонентов

APTM100H35FTG

ПроизводитсяFET, MOSFET Arrays

MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V (1kV)
Power - Max390W
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeChassis Mount
Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
PackageBulk
Package / CaseSP4
Supplier Device PackageSP4
Другое
Base Product NumberAPTM100
Configuration4 N-Channel (Full Bridge)
FET Feature-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs186nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5200pF @ 25V
MfrMicrochip Technology
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs420mOhm @ 11A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.