Поиск аналогов электронных компонентов

APTSM120AM55CT1AG

ПроизводитсяFET, MOSFET Arrays

SIC 2N-CH 1200V 74A SP1

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C74A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Power - Max470W
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeChassis Mount
Operating Temperature-40°C ~ 175°C (TJ)
PackageBulk
Package / CaseSP1
Supplier Device PackageSP1
Другое
Base Product NumberAPTSM120
Configuration2 N-Channel (Dual), Schottky
FET Feature-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs272nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5120pF @ 1000V
MfrMicrosemi Corporation
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 40A, 20V
Series-
TechnologySilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 2mA

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.