Поиск аналогов электронных компонентов
BCP55-QF
Nexperia USA Inc.Нидерланды

BCP55-QF

ПроизводитсяSingle Bipolar TransistorsSOT-223

BCP55-Q/SOT223/SC-73

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер60 V
Ток коллектора1 AМакс.
Коэффициент усиления hFE63150mA
Мощность650 mWМакс.
Питание
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)1 A
Power - Max650 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition180MHz
Условия эксплуатации и корпус
GradeAutomotive
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
QualificationAEC-Q101
Supplier Device PackageSOT-223
Другое
MfrNexperia USA Inc.
Product StatusActive
Series-
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.