ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDТайвань, Китай
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN S
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер80 V
Ток коллектора1 AМакс.
Коэффициент усиления hFE100150mA
Мощность1.6 WМакс.
| Питание | |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Power - Max | 1.6 W |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | - |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Другое | |
| Mfr | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
| Product Status | Active |
| Series | - |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |