Поиск аналогов электронных компонентов
BD681G
onsemiСША

BD681G

ПроизводитсяSingle Bipolar TransistorsTO-126

TRANS NPN DARL 100V 4A TO126

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер100 V
Ток коллектора4 AМакс.
Коэффициент усиления hFE7501.5A
Мощность40 WМакс.
Питание
Current - Collector Cutoff (Max)500µA
Current - Collector (Ic) (Max)4 A
Power - Max40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce750 @ 1.5A, 3V
Frequency - Transition-
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageBulk
Package / CaseTO-225AA, TO-126-3
Supplier Device PackageTO-126
Другое
Base Product NumberBD681
Mfronsemi
Product StatusActive
Series-
Transistor TypeNPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic2.5V @ 30mA, 1.5A

Изображения

Документы