Infineon TechnologiesГермания
MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока23 ~ 100 A
Сопротивление в открытом состоянии2.8 mΩМакс. · 50A
Пороговое напряжение2.2 VМакс. · 93μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 139W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Другое | |
| Base Product Number | BSC028 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 175 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 30 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 50A, 10V |
| Series | OptiMOS™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 93µA |