BSP613P

Снят с производстваSingle FETs, MOSFETsPG-SOT223-4-21

MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4

Все аналоги

Тип каналаP-channel

Напряжение сток-исток60 V

Постоянный ток стока2.9 A

Сопротивление в открытом состоянии130 mΩМакс. · 2.9A

Пороговое напряжение4 VМакс. · 1mA

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Power Dissipation (Max)	1.8W (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package	PG-SOT223-4-21
Другое
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	875 pF @ 25 V
Mfr	Infineon Technologies
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 2.9A, 10V
Series	SIPMOS®
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA