Поиск аналогов электронных компонентов
CSD25485F5T
Texas InstrumentsСША

CSD25485F5T

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsPICOSTAR

MOSFET P-CH 20V 5.3A 3PICOSTAR

CSD25485F5T — P-канальный MOSFET FemtoFET с напряжением -20 В, типовым сопротивлением канала 29,7 мОм (при VGS=-8 В), в корпусе PICOSTAR 1,53 мм × 0,77 мм, с низким зарядом затвора и встроенной защитой от ЭСР для промышленных примененийПроверено по даташиту

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток-20 VMax: - (VGS=0 V，IDS=-250 μA)
Постоянный ток стока-3.2 ATA=25°C)，TA=25°C)
Сопротивление в открытом состоянии35 mΩМакс. · Max: 35 mΩ (VGS=-8 V，IDS=-0.9 A，TA=25°C)
Пороговое напряжение-1.3 VМакс. · Max: -1.3 V (VDS=VGS，IDS=-250 μA)

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 26
ПараметрЗначение и условия измеренияИсточник
КаналP-Channel
Напряжение сток-истокMin: -20 V, Typ: -, Max: - (VGS=0 V, IDS=-250 μA)
Непрерывный ток стокаMin: -, Typ: -, Max: -3.2 A (Min Cu, TA=25°C); Max: -5.3 A (Max Cu, TA=25°C)
Сопротивление канала в открытом состоянииTyp: 29.7 mΩ, Max: 35 mΩ (VGS=-8 V, IDS=-0.9 A, TA=25°C)
Пороговое напряжение затвор-истокMin: -0.7 V, Typ: -0.95 V, Max: -1.3 V (VDS=VGS, IDS=-250 μA)
КорпусPICOSTAR (YJK), 3 Pins, 1.53-mm × 0.77-mm SMD Leadless
Рабочая температура перехода-55 to 150 °C
КлассIndustrial (Optimized for Industrial Load Switch Applications)
RoHSCompliant (Green: RoHS & no Sb/Br)
Без галогеновYes (Lead and Halogen Free)
Полный заряд затвораTyp: 2.7 nC, Max: 3.5 nC (VDS=-10 V, IDS=-0.9 A, VGS=-4.5 V)
Заряд затвор-стокTyp: 0.56 nC (VDS=-10 V, IDS=-0.9 A)
Входная ёмкостьTyp: 410 pF, Max: 533 pF (VGS=0 V, VDS=-10 V, f=1 MHz)
Выходная ёмкостьTyp: 212 pF, Max: 276 pF (VGS=0 V, VDS=-10 V, f=1 MHz)
Ёмкость обратной связиTyp: 17 pF, Max: 23 pF (VGS=0 V, VDS=-10 V, f=1 MHz)
ТрансconductanceTyp: 7 S (VDS=-2 V, IDS=-0.9 A)
Ток утечки сток-истокMax: -100 nA (VGS=0 V, VDS=-16 V)
Ток утечки затвор-истокMax: -25 nA (VDS=0 V, VGS=-12 V)
Прямое напряжение диодаTyp: -0.75 V, Max: -1 V (ISD=-0.9 A, VGS=0 V)
Импульсный ток стокаMax: -31 A (Pulse duration ≤ 100 μs, duty cycle ≤ 1%)
Мощность рассеиванияMax: 0.5 W (Min Cu, TA=25°C); Max: 1.4 W (Max Cu, TA=25°C)
Защита от ЭСР (HBM)Rated > 4000 V
Защита от ЭСР (CDM)Rated > 2000 V
Сопротивление затвораMax: 20 Ω
Время задержки включенияTyp: 14 ns (VDS=-10 V, VGS=-4.5 V, IDS=-0.9 A, RG=2 Ω)
Время задержки выключенияTyp: 27 ns (VDS=-10 V, VGS=-4.5 V, IDS=-0.9 A, RG=2 Ω)
Все параметры (21)РазвернутьСвернуть
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 8V
Power Dissipation (Max)1.4W (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case3-XFDFN
Supplier Device Package3-PICOSTAR
Другое
Base Product NumberCSD25485
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds533 pF @ 10 V
MfrTexas Instruments
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 900mA, 8V
SeriesFemtoFET™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)-12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA

Распиновка и корпус

Top View
Top View
Корпус: PICOSTAR (YJK), 3 Pins, 1.53-mm × 0.77-mm SMD Leadless
ВыводНазваниеНазначениеИсточник
1Затвор
2Исток
3Сток

Изображения

CSD25485F5TФото · Каталог ChipCross

Документы

DatasheetDatasheet · 1.2 MB · 2026-10-29
Центр документации

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.