Поиск аналогов электронных компонентов
DMN10H220LFVW-7

DMN10H220LFVW-7

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETs

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока11 A
Сопротивление в открытом состоянии222 mΩМакс. · 2A
Пороговое напряжение2.5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)2.4W (Ta), 41W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Supplier Device PackagePowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Другое
Base Product NumberDMN10
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds366 pF @ 50 V
MfrDiodes Incorporated
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs222mOhm @ 2A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.