MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока9 A
Сопротивление в открытом состоянии14 mΩМакс. · 9A
Пороговое напряжение900 mVМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Power Dissipation (Max) | 610mW (Ta) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Package / Case | 6-PowerUFDFN |
| Supplier Device Package | X1-DFN1616-6 (Type E) |
| Другое | |
| Base Product Number | DMN2020 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1788 pF @ 10 V |
| Mfr | Diodes Incorporated |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 9A, 4.5V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.