Поиск аналогов электронных компонентов
DMN3032LE-13

DMN3032LE-13

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsSOT-223-3

MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока5.6 A
Сопротивление в открытом состоянии29 mΩМакс. · 3.2A
Пороговое напряжение2 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)1.8W (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Supplier Device PackageSOT-223-3
Другое
Base Product NumberDMN3032
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds498 pF @ 15 V
MfrDiodes Incorporated
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 3.2A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Изображения

Документы