Поиск аналогов электронных компонентов
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

ПроизводитсяFET, MOSFET Arrays

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Power - Max320mW
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device PackageSOT-363
Другое
Base Product NumberDMN3190
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds87pF @ 20V
MfrDiodes Incorporated
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 1.3A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA

Изображения

Документы