Поиск аналогов электронных компонентов
DMT69M8LPS-13

DMT69M8LPS-13

Снят с производстваSingle FETs, MOSFETs

MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока10.2 ~ 70 A
Сопротивление в открытом состоянии12 mΩМакс. · 13.5A
Пороговое напряжение2 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.2A (Ta), 70A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)2.3W (Ta), 113W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
GradeAutomotive
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case8-PowerTDFN
QualificationAEC-Q101
Supplier Device PackagePowerDI5060-8
Другое
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1925 pF @ 30 V
MfrDiodes Incorporated
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 13.5A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Изображения

Документы