MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока8.4 ~ 50.5 A
Сопротивление в открытом состоянии14.5 mΩМакс. · 20A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.4A (Ta), 50.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta), 55W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Grade | Automotive |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 |
| Другое | |
| Base Product Number | DMTH10 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2343 pF @ 50 V |
| Mfr | Diodes Incorporated |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 20A, 10V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |