Поиск аналогов электронных компонентов

DMTH10H4M5LPSW

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETs

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока20 ~ 107 A
Сопротивление в открытом состоянии4.9 mΩМакс. · 30A
Пороговое напряжение2.5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta), 107A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)4.7W (Ta), 136W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device PackagePowerDI5060-8 (Type UX)
Другое
Base Product NumberDMTH10
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4843 pF @ 50 V
MfrDiodes Incorporated
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.9mOhm @ 30A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Документы