Поиск аналогов электронных компонентов
Diotec SemiconductorГермания

EGL1B

ПроизводитсяSingle Diodes

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AA

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Обратное напряжение100 V
Средний выпрямленный ток1 A
Прямое падение напряжения1.25 VМакс. · 1 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns,> 200mA (Io)
Питание
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 100 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.25 V @ 1 A
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature - Junction-50°C ~ 175°C
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseDO-213AA
Supplier Device PackageDO-213AA, MINI-MELF
Другое
Capacitance @ Vr, F-
MfrDiotec Semiconductor
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)50 ns
Series-
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
TechnologyStandard

Документы