EPC2010C
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EPC2010C

不推荐用于新设计单 FET,MOSFET

GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE

沟道N 沟道
耐压200 V
连续漏极电流22 A
导通电阻25 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压200 V
连续漏极电流22 A
导通电阻25 mΩ最大 · 12A
阈值电压2.5 V最大 · 3mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Power Dissipation (Max)-
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseDie
Supplier Device PackageDie
其他
Base Product NumberEPC20
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds540 pF @ 100 V
MfrEPC
Product StatusNot For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 12A, 5V
SerieseGaN®
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 3mA

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