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EPC2302

在产单 FET,MOSFET7-QFN

TRANS GAN 100V DIE .0018OHM

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流101 A
导通电阻1.8 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流101 A
导通电阻1.8 mΩ最大 · 50A
阈值电压2.5 V最大 · 14mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C101A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Power Dissipation (Max)-
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case7-PowerWQFN
Supplier Device Package7-QFN (3x5)
其他
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3200 pF @ 50 V
MfrEPC
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 50A, 5V
SerieseGaN®
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 14mA

技术资料