Поиск аналогов электронных компонентов
ES3DVHM6G
Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай

ES3DVHM6G

Single Diodes

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Обратное напряжение200 V
Средний выпрямленный ток3 A
Прямое падение напряжения900 mVМакс. · 3 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns,> 200mA (Io)
Питание
Current - Average Rectified (Io)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If900 mV @ 3 A
Условия эксплуатации и корпус
GradeAutomotive
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseDO-214AB, SMC
QualificationAEC-Q101
Supplier Device PackageDO-214AB (SMC)
Другое
Base Product NumberES3D
Capacitance @ Vr, F45pF @ 4V, 1MHz
MfrTaiwan Semiconductor Corporation
Product StatusDiscontinued at Digi-Key
Reverse Recovery Time (trr)20 ns
Series-
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
TechnologyStandard

Изображения

Документы