Поиск аналогов электронных компонентов
ESH3C
Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай

ESH3C

ПроизводитсяSingle Diodes

DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Обратное напряжение150 V
Средний выпрямленный ток3 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns,> 200mA (Io)
Питание
Current - Average Rectified (Io)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 150 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)150 V
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseDO-214AB, SMC
Supplier Device PackageDO-214AB (SMC)
Другое
Base Product NumberESH3
Capacitance @ Vr, F45pF @ 4V, 1MHz
MfrTaiwan Semiconductor Corporation
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)20 ns
Series-
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
TechnologyStandard

Изображения

Документы