Поиск аналогов электронных компонентов
FDB3860
onsemiСША

FDB3860

Снят с производстваSingle FETs, MOSFETsD²PAK

MOSFET N-CH 100V 6.4A/30A TO263

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока6.4 ~ 30 A
Сопротивление в открытом состоянии37 mΩМакс. · 5.9A
Пороговое напряжение4.5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.4A (Ta), 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)3.1W (Ta), 71W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageD²PAK (TO-263)
Другое
Base Product NumberFDB386
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1740 pF @ 50 V
Mfronsemi
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs37mOhm @ 5.9A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.