onsemi美国

FDB8444TS

停产单 FET,MOSFETTO-263-5

MOSFET N-CH 40V 20A/70A TO263-5

查看国产替代问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压40 V
连续漏极电流20 ~ 70 A
导通电阻5 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道N 沟道
耐压40 V
连续漏极电流20 ~ 70 A
导通电阻5 mΩ最大 · 70A
阈值电压4 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta), 70A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)181W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Supplier Device PackageTO-263-5
其他
Base Product NumberFDB844
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs338 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8410 pF @ 25 V
Mfronsemi
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 70A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

技术资料

该型号暂未收录资料。