Поиск аналогов электронных компонентов
FDB8832
onsemiСША

FDB8832

Снят с производстваSingle FETs, MOSFETsD²PAK

MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока34 ~ 80 A
Сопротивление в открытом состоянии1.9 mΩМакс. · 80A
Пороговое напряжение3 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C34A (Ta), 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)300W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageD²PAK (TO-263)
Другое
Base Product NumberFDB883
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11400 pF @ 15 V
Mfronsemi
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.9mOhm @ 80A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Изображения

Документы