Поиск аналогов электронных компонентов
FDB8896
onsemiСША

FDB8896

Снят с производстваSingle FETs, MOSFETsD²PAK

MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263AB

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока19 ~ 93 A
Сопротивление в открытом состоянии5.7 mΩМакс. · 35A
Пороговое напряжение2.5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Ta), 93A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)80W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageD²PAK (TO-263)
Другое
Base Product NumberFDB8896
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2525 pF @ 15 V
Mfronsemi
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.7mOhm @ 35A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Изображения

Документы