Поиск аналогов электронных компонентов
onsemiСША

FDC608PZ

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsSOT-23-6 Thin

MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока5.8 A
Сопротивление в открытом состоянии30 mΩМакс. · 5.8A
Пороговое напряжение1.5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Power Dissipation (Max)1.6W (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device PackageSuperSOT™-6
Другое
Base Product NumberFDC608
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1330 pF @ 10 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 5.8A, 4.5V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Документы