onsemiСША
MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока4.5 A
Сопротивление в открытом состоянии53 mΩМакс. · 4.5A
Пороговое напряжение1.5 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Другое | |
| Base Product Number | FDC640 |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 10 V |
| Mfr | onsemi |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Series | PowerTrench® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.