Поиск аналогов электронных компонентов
onsemiСША

FDC655AN

Снят с производстваSingle FETs, MOSFETsSOT-23-6 Thin

MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока6.3 A
Сопротивление в открытом состоянии27 mΩМакс. · 6.3A
Пороговое напряжение3 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)1.6W (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device PackageSuperSOT™-6
Другое
Base Product NumberFDC655
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds830 pF @ 15 V
Mfronsemi
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 6.3A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Документы