Поиск аналогов электронных компонентов
FDG311N
onsemiСША

FDG311N

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETs6-TSSOP

MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока1.9 A
Сопротивление в открытом состоянии115 mΩМакс. · 1.9A
Пороговое напряжение1.5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Power Dissipation (Max)750mW (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device PackageSC-88 (SC-70-6)
Другое
Base Product NumberFDG311
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds270 pF @ 10 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs115mOhm @ 1.9A, 4.5V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Изображения

Документы